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半導體電子設備相變儲存資料匯總

发布时间:2020-01-27 10:59:09

半导体、电子设备:相变储存资料汇总 - 0 类别: 机构: 研究员:

[摘要]

事件IBM近日宣布了相变内存(PCM)技术的最新进展,每个PCM单元中可容纳数据扩展至 比特位,且成本已降至可接受的范围,从而可以进入商用阶段此次试制的是以90nm工艺制作的400万单元阵列的芯片具体来说,是将两组200万单元阵列作为4条内存交错工作每组单元阵列的尺寸为1000μm×800μm

相变存储技术是继内存、闪存之后目前世界上最先进的存储技术之一,被业界视为未来闪存和内存的替代品,其功耗只有现有闪存的一半,但读写速度可达到闪存的1000倍根据Gartner公司预测,未来闪存市场空间到2019年将达到70亿美元,我们认为相变内存未来将率先取代闪存,并取代其大部分市场规模

M相变存储工作原理相变存储器是一种由硫族化合物材料构成的新型非易失存储器,利用材料可逆转的物理状态变化来存储信息相变存储器介质材料在一定条件下会在非晶体状态和晶体状态之间发生转变,在此过程中的非晶体状态和晶体状态呈现出不同的电阻特性和光学特性,因此,可以利用“0”和“1”分别表示非晶态和晶态来存储数据

M贡献1.提速IBM的研究者在此所做的事情是改变该进程中的温度,并进行控制,当电流通过加热的单元时,可以让多达 个比特单位被存储在该单元再此之前每个单元只能储存1或2个比特位数据根据IBM的多位PCM存储器来看开机,在短短的几秒钟之内该过程就可以完成这种处理速度几乎只有谷歌或者Facebook的数据中心才能看到更快的

2.降低成本在过去的几十年以来PCM技术一直被使用在光盘上但因为PCM成本过高,每个单元只能储存1或2个比特位数据,并不能很好的应用于存储方面IBM的科学家扩展每个PCM单元中可以容纳 比特位数据,在这个密度PCM的成本将大大低于同等性质的DRAM或者闪存

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